【摘 要】
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针对半导体器件进入16 nm及以下技术代将面临的可制造性难度大、功耗限制、性能退化等核心问题,重点开展了新型围栅纳米线器件、新型超低功耗TFET器件、高迁移率沟道器件、闪
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针对半导体器件进入16 nm及以下技术代将面临的可制造性难度大、功耗限制、性能退化等核心问题,重点开展了新型围栅纳米线器件、新型超低功耗TFET器件、高迁移率沟道器件、闪存器件以及纳米尺度器件的可靠性及涨落性研究,为新型器件在将来纳米集成电路中的应用奠定了基础。在纳米线器件研究方面,设计了侧墙转移法和TMAH各向异性腐蚀法制备超精细硅纳米线的可控工艺,并进行了实验验证;建立了自限制氧化法硅纳米线制备工艺理论模型,可对工艺进行精确预测;提出了一种原子层掺杂结构可有效调控纳米线器件的阈值电压,同时避免了迁移率
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