砷化镓材料相关论文
本文对声电荷输运器件(Acoustic Charge Transport，简称ACT)的工作原理进行了简单介绍，阐述了声电荷输运器件材料选择的要求。文......
国外在砷化镓材料、器件及材料与器件之间关系的研究方面进展很快.国内有关研究单位在这方面做了一些工作,试图找出材料参数与电路......
砷化镓（GaAs）材料是用途最广泛的人工合成化合物半导体材料之一，因其电子迁移率高，光电转换效率高，被广泛应用于光电子器件和微电子器件......
事件:10月12日,国内最大的砷化镓材料生产基地--中科晶电信息材料(北京)有限公司量产揭幕仪式在京举行,这标志着我国砷化镓材料生......
“信息功能材料是信息技术发展的基础和先导;没有硅材料和硅集成芯片的问世,就不会有今天微电子技术;没有光学纤维材料的发明,砷化......
目前,在实用的太阳能电池技术中,多数都是基于多晶硅或者单晶硅材料,其转换效率最多也就18％左右,而来自美国硅谷Alta Devices公司推......
利用532 nm连续激光对掺Si的n型砷化镓材料进行作用,材料的晶轴方向为偏方向15°。实验观察到,连续激光与材料相互作用过程中,材料......
Two-electron states of a three-dimensional spherical GaAs quantum dot (QD) with a Gaussian confining potential confineme......
简述了超快光电导开关的原理,分析了提高超快电脉冲时间特性的方法.通过辐照在GaAs内部引入深能级陷阱,并用基于此种材料的光电导......
利用532nm连续激光对掺Si的n型砷化镓材料进行作用，材料的晶轴方向为（100）偏（111A）方向15°。实验观察到，连续激光与材料相互作用过......
我国第一台150mm砷经镓晶体立式退火炉样机近日在京研制成功，经中科镓英半导体材料有限公司试用证明，样机达到工业化实用技术要求，自......
中国电子科技集团公司第四十六研究所（原信息产业部电子46所）是电子材料专业研究机构，是国内最早从事半导体材料和光纤研究开发的单位......
据媒体报道，国内最大的砷化镓材料生产基地——中科晶电信息材料（北京）有限公司量产揭幕仪式近日在京举行。这标志着我国砷化镓材料生......
国内最大的砷化镓材料基地——中科晶电信息材料（北京）有限公司近期正式投产，这标志着我国砷化镓材料生产的集成化、规模化进入一个新......
<正> 说起砷化镓来,可能有些人觉得生疏、有些人不知道它是半导体材料,如果说它早已经进入我们的家庭生活,那更是出乎意料的事。现......
综述了几种较为成功的适合于工业化大规模生长及科研应用的GaAs材料的生长工艺,如液封直拉法、水平布里支曼法、垂直梯度凝固法/垂......
1 求学生涯林兰英院士照片林兰英1918年2月7日出生在福建莆田的一个工商业者家庭.莆田一带地少人多,素有"地瘦载松柏,家贫子读书"......
3.2 砷化镓材料用于大量生产砷化镓晶体的方法是传统的LEC法(液封直拉法)和HB法(水平舟生产法)。国外开发了兼具以上2种方法优点的......
研究了扫描光致发光光谱 (PLmapping)在表征半绝缘砷化镓 (SI GaAs)材料中的应用 ,实验结果表明SI GaAs晶片的PL强度及mapping均匀......
砷化镓作为第二代半导体材料的代表,在高能对撞物理实验、航天科技和核放射性废料检测等辐照环境下有着重要的应用。为此,对砷化镓......
激光与物质相互作用一直是令人关注的研究领域。近几十年来，激光技术迅猛发展，现在已经渗透进自然科学的各个领域，加快了科学研究的步......
综述世界ＧａＡｓ材料器件的产销情况、市场前景及ＧａＡｓ材料的发展趋势。预测２０００年ＧａＡｓＩＣ用于通讯将占ＧａＡｓＩＣ市场的７１％，并以年均增长率１５％的速度发展。发光器件１９９９年增长１２％，。......
