真空阴极弧相关论文
利用钛真空阴极弧作为等离子体源产生金属等离子体,在8Pa的氮气介质中对凹形零件施加负的脉冲高压,进行等离子体基离子注入沉积.利......
用金属真空阴极弧(MEVVA)离子源对SiC-C/SiC复合材料进行Al离子注入来改善其抗氧化性能。通过俄歇电子能谱和扫描电镜分别对复合材......
该文系统地研究了真空阴极弧法沉积CN薄膜的微观结构及其与工艺参数的关系,不同温度退火后CN薄膜的结构,并且还比较了弯曲磁过滤器......
在本文中,我们利用真空阴极弧沉积技术对Zr-N-C薄膜进行了制备与研究,将独立的Zr靶和CH2在氮气环境下同时放电可以制备出Zr-N-C复......
本文主要涉及两种等离子体表面改性技术，真空阴极弧沉积和等离子体聚合。根据两种技术的特点设计了对人体硬组织替换材料进行分步骤......
在本文中,我们利用真空阴极弧沉积技术分别对Ti-Al-N,ZrN/Zr-Ti-N薄膜进行了制备与研究。
利用TiAl混合靶放电制备了TiAlN薄......
利用真空阴极弧技术在M2高速钢和单晶硅表面沉积ta-C薄膜,重点研究了电弧电流对沉积过程中等离子体行为,以及涂层的截面形貌、厚度......
研制具空阴极弧离子镀引弧器，分析了其工作原理及工作时序，给出了」它的关键部分的电路，介绍了它的离子镀引弧器的性能及特点。......
采用真空阴极弧沉积技术,以硅烷作为Si源,实现了对TiN薄膜的Si掺杂。X射线衍射图谱没有发现SiN的衍射峰,我们推测Si元素是以非晶相......
在真空阴极弧离子镀的过程中，发射出来的等离子体中包含有大量的宏观粒子团(MPs:macroprticles)，构成对膜表面的污染。该文介绍了一......
研究了高纯氩气、高纯氩和高纯氢的混合气及高纯氩和乙炔的混合气等气体，对铜、钛及石墨等靶材电弧特性的影响．低熔点、导电性能好的......
1/4弯管型弯曲电弧磁过滤装置是去除真空阴极电弧沉积中宏观颗粒,获得高质量真空电弧沉积薄膜的最常用的手段。本文用有限元分析的......
真空阴极电弧离子镀作为物理气相沉积的一种方法,尤其适用于在金属表面制备各种金属膜或化合膜,本文用该方法制备了TiAlN薄膜,并对......
在本文中,我们利用真空阴极弧沉积技术对TiCN薄膜进行了制备与研究。利用高纯的钛靶放电制备了TiCN薄膜,重点分析了偏压对薄膜的组......
