直接带隙材料相关论文
InGaAs是直接带隙材料,具有高电子迁移率、低背景载流子浓度、均匀的厚度、平整的界面,良好材料稳定性,是一种理想短波红外探测器材料......
近年来,氮化镓(GaN)材料越来越受到人们的关注。它具有很多优点:禁带宽,是直接带隙材料,电子饱和速率高,导热性能好,击穿电场高,介电常数......
环境友好半导体材料Ca2Si晶体是直接带隙半导体,在室温下,其禁带宽度为1.9eV,且在4.5eV以下能量范围内,Ca2Si的光吸收系数大于β-FeSi2,因......
环境友好半导体材料Ca2Si晶体是直接带隙半导体,在室温下,其禁带宽度为1.9 eV,且在4.5 eV以下能量范围内,Ca2Si的光吸收系数大于β......