研究了 Si~+和 S~+注入 SI-GaAs 经白光瞬态退火后的电特性,得出最佳的退火条件为930～960℃,5s.在适当的注入和退火条件下,得到了陡......

为了研制适合光纤通信用、工作在波长为1.55μm的光电探测器.该文对于采用锗材料研制适合光纤通信用光电晶体管作了一些初步的工作......

用超高真空镀膜机在半绝缘GaAs衬底上蒸镀800nm Ge，Ge薄膜在500℃以上退火有再结晶过程，退火后由非晶变成多晶.在Ge和GaAs界面处有互......

在ＧａＡｓ集成电路和器件研制中，离子注入是关键技术之一，介绍了用离子注入ＧａＡｓ形成ｎ型和ｐ型区，以及离子注入ｐ型和ｎ型ＧａＡｓ形成绝缘层、形成ｎ＾＋ＧａＡｓ深埋层等重要技......

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