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本文对p-CaN与Ni／Pt形成欧姆接触及其电流传输机制进行了研究。I—V变温测试曲线是线形的，表明Ni／Pt与p-GaN之所以能形成欧姆接触，是因......
半极性GaN材料的研究在光电器件和电子器件领域有重要意义。采用选区外延生长技术在Si衬底上生长半极性GaN材料,并制备肖特基势垒......
自从1947年第一个晶体管在贝尔实验室被发明以来,半导体器件在人类现代生活中变得越来越重要。晶体管、二极管和集成电路是组成现......
GaN基半导体的能带带隙从0.7eV至6.2eV连续可调,所对应的波长覆盖了近红外到紫外光谱范围,基于该材料体系的探测器有望在火警、导......
