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双层C3N电子性质调控及其介电层h-BN可控刻蚀的理论研究

随着电子器件不断微型化,电子学领域的发展面临着越来越严峻的挑战。开发性质优于传统硅基半导体材料的下一代新型低维半导体材料......

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第一性原理计算双层C<sub>3</sub>N 电子性质调控六方氮化硼刻蚀过渡金属催化剂氢气分压

硅烯和硼烯的生长机制、缺陷及电子性质调控

硅烯是具有六角蜂窝状结构的硅的单原子层。近几年来引起了人们高度的关注。硅烯具有类石墨烯的优异电子性质,例如费米能级附近线......

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硅烯密度泛函理论点缺陷电子性质调控硼烯生长

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