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碘化汞(α-HgI2)晶体是直接跃迁宽带隙的Ⅱ-Ⅶ族化合物半导体,其原子序数高(Z,g=80,Z1=53),禁带宽度大(300K,2.13eV),体暗电阻率高......
氧化锌是一种重要的宽禁带半导体材料，具有良好的光学和电学性质，在传感器等高科技领域具有广泛的应用前景。有序氧化锌纳米阵列因其......
本文对硒酸氢铷 (RbHSeO4 ,RHSe)晶体生长过饱和溶液的均匀成核过程进行了初步的研究。通过动态目视法测量RHSe过饱和溶液的诱导期......
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