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汞探针配合各型号的仪表,可直接在半导体上形成肖特基势垒测得硅外延层的载流子浓度,也可以形成MOS电容结构,对CVD工艺等进行监控,......
本文利用热壁式CVD技术生长4H-SiC MESFET结构外延材料,TMA和氮气分别用作P型和N型掺杂源.外延层厚度使用SEM进行表征,SIMS及汞探......
随着外延工艺技术的飞速发展，对硅材料的检测手段日益自动化、先进化，对外延分析测试仪器的原理和测试方法的分析研究尤为重要，本文就......
作为常见的污染物,重金属(Heavy Metal)是比重相对轻金属更大的一类金属,可以由工业污染、交通尾气以及食物、化妆品中引入。由于......
