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氮化物陷阱电荷相关论文
MOS器件辐照引入的界面态陷阱性质
通过分析总剂量辐照产生的界面陷阱的施主和受主性质,用半导体器件模拟软件Medici模拟了NMOS、PMOS器件加电下辐照后的特性.结果表......
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MOS器件
界面陷阱
费米能级
氮化物陷阱电荷
辐照
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Fermi level
oxide-trapped charge
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