氧化钽薄膜相关论文
作为一种光学调制器件,电致变色器件（ECD）在环保节能方面的应用价值已被大众所肯定。近十年全固态ECD的研究多围绕H+和Li+两种离子传......
随着5G、大数据时代的到来,复杂的计算任务和多样的应用场景对计算机提出了更高密度、更低功耗的要求。忆阻器集成存储和计算为一......
本论文旨在研究过渡族金属氧化物纳米结构薄膜(Ta2O5薄膜)的制备方法以及基于氧化钽薄膜的RRAM器件的存储特性，探讨了薄膜尺寸、器......
集成电路的发展离不开存储器性能的提高。如何制造出低成本、高密度、高速度的存储器成为当前研究的核心问题。使存储器件小型化是......
随着半导体技术的日益革新,存储器领域也飞速发展。现如今闪存的短板日益显露,需要性能更强大的存储器件才能满足社会的需求。因此......
飞秒激光被广泛应用于物理、化学反应的动力学分析和超精细加工。在与物质相互作用的过程中，飞秒激光脉冲显示出与长脉冲激光不同的......
脉冲激光淀积技术是制备薄膜的先进技术之一,具有膜成分容易做到与靶成分一致、便于控制淀积条件、适用面宽、淀积速率高、易于引......
采用直流磁过滤电弧源技术,在K9玻璃基底上制备氧化钽薄膜,研究了氧气分量对膜层化学计量比、透过率、折射率的影响.结果表明:随着......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
本工作以单晶硅为衬底,乙醇钽和水分别为钽源和氧源,研究原子层沉积技术制备氧化钽薄膜的工艺,考察了乙醇钽温度、衬底温度、脉冲......
在Ar-O<sub>2</sub>混合气氛中采用直流磁控反应溅射沉积制得了氧化钽薄膜.文章介绍了沉积薄膜的实验装置与工艺,叙述了反应溅射的......
采用直流脉冲反应磁控溅射方法制备了高介电常数五氧化二钽(Ta2O5)薄膜．利用Ta／Ta2O5／Ta的MIM电容结构分析了Ta2O5的电学性能，研究了上......
Ta2O5 电影被常规电子横梁蒸发在熔化硅石底层上扔。表面地形学和化学作文被原子力量显微镜学(AFM ) 和 X 光光电子光谱学(XPS ) ......
用动态离子柬混合技术在铁基材料表面上制备氧化钽薄膜。用Ar^＋束溅射沉积薄膜的同时，分别用100keV，2×10^17／cm^2的O^＋离子或100ke......
在较低衬底温度下，通过磁控溅射得到的非晶态Ta2O5薄膜，在氧气氛750℃条件下进行化学热退火，得到晶化的Ta2O2薄膜，其相对介电常数为34．3......
采用直流磁控反应溅射技术,在不同的Ar/O2比条件下制备了系列Ta2O5薄膜样品,采用紫外-可见光透射光谱和椭偏光谱测试分析技术,研究......
采用直流磁控反应溅射技术制备氧化钽薄膜,重点研究了溅射气体中Ar：O2比例和退火温度对样品的结构、成份和介电性能的影响。XRD、XP......
Ta2O5薄膜层具有较高的介电常数、折射率以及和ULSI加工过程中的相容性，因而将在硅芯片栅层材料、动态随机存储器、减反膜、气敏传......
金属氧化物薄膜晶体管(Metal Oxide TFT)与传统的硅基和有机半导体TFT相比拥有宽带隙、高均匀性、高稳定性以及载流子的高迁移率等......
