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采用直流磁控反应溅射技术制备氧化钽薄膜,重点研究了溅射气体中Ar：O2比例和退火温度对样品的结构、成份和介电性能的影响。XRD、XPS和介电谱分析表明：Ar：O2比例对薄膜的结晶性能和薄膜中O/Ta原子比有较大影响,但对薄膜的介电性能没有明显的影响。900℃退火后,XRD谱中出现明显的β-Ta2O5（001）和（200）衍射峰;介电损耗谱表明介质的损耗是由微弱的电导产生的,漏电电流在损耗中占主导地位。