LDMOS(Lateral Double-diffused MOSFET)作为一种在高压集成电路应用中性价比很高的功率器件,一直以来都以实现高耐压和低比导通电......

功率VDMOS器件现在被广泛的应用,其最主要性能参数击穿电压(BV)和比导通电阻(Ron,sp)是我们关注的重点。常规的功率VDMOS器件受到......

VDMOS(Vertical Double-diffused MOSFET)作为一种现阶段应用广泛的半导体器件,一直以来都以优化击穿电压(BV)和比导通电阻(Ron,sp......

在高压ＶＤＭＯＳ器件中，保证足够高的漏源击穿电压ＢＶＰＴ和尽可能低的比导通电阻Ｒｏｎ是设计中必须同时考虑的两个相互矛盾的主要方面。对于耐压高的ＶＤＭＯＳ，Ｒｏｎ主要......