采用低成本、高效率的压印技术实现了高密度相变存储器(PCRAM)存储阵列的制备,开发出Si2Sb2Te5(SST)新材料的4Gbit/inch2存储阵列,......

采用低成本、高效率的压印技术实现了高密度相变存储器（PCRAM）存储阵列的制备，开发出Si2Sb2Te5（SST）新材料的4Gbit／inch。存储阵列，存储单......