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采用低成本、高效率的压印技术实现了高密度相变存储器（PCRAM）存储阵列的制备，开发出Si2Sb2Te5（SST）新材料的4Gbit／inch。存储阵列，存储单元面积为0．04μm2；利用SEM观测压印获得的光刻胶图形阵列以及刻蚀后的SST存储阵列，其单元外形均具有高度的一致性，且单元特征尺寸的3倍标准差均小于6nm；利用AFM研究了SST存储单元的Ⅰ-Ⅴ特性，阂值电压为1．56V，高、低电阻态阻值变化超过两个数量级。实验结果表明了SST新材料及压印技术在PCRAM芯片中的应用价值。