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1700V 4H-SiC DMOS晶体管的设计和实验研究
碳化硅(Silicon Carbide)半导体材料凭借临界击穿电场高、热导率高、热载流子饱和漂移速度高、抗辐照能力强等特点,已经成为国际功......
学位
碳化硅
DMOS
击穿电压
栅可靠性
C-V测试
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