有机金属化学气相沉积法相关论文
本文使用MOCVD方法，在蓝宝石衬底上通过GaN过渡层进行了AlInN薄膜的生长，并研究了生长温麦和生长压力对其表面形貌和In组分的影响。......
会议
自20世纪90年代纳米线概念的引入，半导体纳米线已经引起了广泛的研究。通过控制纳米线的维度和尺寸，调整其光学和电学性能已经取得了......
学位
本文对含有高In组分量子点的双波长LED进行了一系列模拟实验，通过改变器件的结构参数，对器件的辐射光谱、能带结构、载流子浓度、复......
GaN基半导体材料作为一种新型的光电功能材料，具有较宽的直接带隙，优异的物理、化学稳定性，高饱和电子漂移速度，高击穿场强等突出优点，......
学位
Ⅲ-Ⅴ族半导体是目前制作光电器件和电子器件的理想材料。在Ⅲ-Ⅴ族半导体中，锑化铟(InSb)具有最高的室温电子迁移率μe=77000 cm2/......
GaN及其三元化合物在制备高亮度蓝光、绿光和白光LED，短波长激光器，紫外光探测器和高温电子器件等方面有着广泛的应用，与之相应的物理......
Ⅲ族氮化物半导体以其寿命长、节能、环保、色彩丰富、安全及稳定等优点，逐渐发展成为新一代照明光源。但由于氮化镓(GaN)基LED主要......
通过有机金属化学气相沉积法在AlN/蓝宝石衬底上生长AlGaN基多量子阱结构的发光二极管（LEDs）,其对应的发光峰值波长为264nm（UV-C区）。......
