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通过有机金属化学气相沉积法在AlN/蓝宝石衬底上生长AlGaN基多量子阱结构的发光二极管（LEDs）,其对应的发光峰值波长为264nm（UV-C区）。通过在活性区域和p型外延层之间插入1nm厚的本征AlN层（起到电子挡层的作用）,可以清楚地观测到有效抑制位于320nm附件的寄生发光峰,推测这是电子溢出或Mg扩散所致。此外,发现了通过改变外延层的结构可以使LEDs的输出功率增长20倍以上。