晶相控制相关论文
GaAs是典型的Ⅲ-Ⅴ族半导体材料,由于其直接带隙特性（1.42 e V@300 K）和优秀的电子迁移率(～8500 cm2 V-1s-1)而被广泛应用于各种发光......
近年来,铯铅卤化物Cs-Pb-Br钙钛矿纳米晶因其具有形状、尺寸和发射可调谐、高光致发光量子产率(Photoluminescence Quantum Yields......
本论文以钛酸四丁酯为钛源,以高浓度盐酸溶液为反应介质,采用水热法制备了纯锐钛矿相、纯金红石相及锐钛矿与金红石混相纳米TiO_2......
为了系统研究Ce-TiO2的晶相形成规律及其对光催化性能的影响，本文采用Sol—gel法制备了Ce-TiO2复合粉体，使用XRD、XPS等手段分别对其......
自2004年石墨烯被偶然发现以来,新型的二维材料以其独特和优异的物理化学性质引起了极大的关注,在电学器件、光电子器件、能源存储......
采用石墨发热体高温炉，对流延工艺成型的AlN陶瓷基片进行了几种烧结温度、时间的实验，并与金属发热体常压高温烧结炉烧制的AlN陶瓷基......
介绍了纳米粉体制备方法研究现状；提出了纳米粉体制备方法划分的四个基本原则：是否发生化学反应、制备体系的相态、制备体系中相数的......
以钛酸丁酯为前躯体，在低温（40℃）下制备TiO2薄膜，并评价其光催化活性。结果表明，制备的TiO2薄膜不需经过高温处理，就有较好的光催化活性......
在水解-沉淀法制备纳米TiO2粉体的过程中,使用不同的沉淀剂获得了晶相不同的纳米TiO2粉体;使用混合沉淀剂,通过控制沉淀剂的比例,......
