晶体生长技术相关论文
在硅面(0001)方向偏8°4H-SiC衬底上生长外延层，生长温度为1580℃，压力为100mbar，采用气垫旋转技术的低压水平热壁反应系统(LP-HW-CVD......
研究了红外激光立方Yb3+掺杂KY3F10晶体,Czochralski技术生长了不同的掺杂浓度Yb3+的单晶,晶体生长后,测试了晶体的X射线衍射......
微下拉(Micro-pulling-down technique)晶体生长技术起源于1994年的日本东北大学，但是在国内的发展仍很落后。该方法能生长出不......
近年来，关于晶体生长的数值模拟与仿真研究已有了很大进展，但由于晶体生长技术和方法的多样性以及生长过程的复杂性，各界对其的研究，大......
Ⅳ-Ⅵ族半导体锡-硒材料体系的研究可以追溯到二十世纪五十年代。近年来研究报道在硒化锡(SnSe)单晶发现超高的热电性能,使得这些......
介绍了晶体激光加热基座生长法的最新进展.具体表现在:所生长晶体的尺寸大幅度提高,直径可达2～3mm;晶体以高速度生长,最高可达150mm......
该文把碲镉汞晶体生长技术分成体晶体生长和薄膜晶体生长二大类。叙述了加速坩锅旋转的Bridgman技术（ACRBT）、垂直底吹淬火-再结晶技......
【摘要】半导体材料的发展，是在器件需要的基础上进行的。本文对半导体电子器件所需要的材料进行了介绍，通过半导体电子器件所需要的......
据相关媒体报导,5月22日至24日,第四届亚洲晶体生长与晶体技术会议在日本仙台召开。我国晶......
2008年7月底,济南人民沉浸在喜迎奥运的欢乐氛围中。23日上午,满头银发,精神矍铄的学会理事长中国科学院院士蒋民华先生步履矫健地......
电子工业部晶体生长技术小组于1983年9月11～16日参加了在西德Stuttgart举行的第七届国际晶体生长会议(ICCG-7)。会后在西德七个城市......
<正> 二、引言在现代的科学技术中,随着微波器件、光电器件和光通讯的发展,特别是集成光学的提出,近几年新发展起来一种新的晶体生......
连续供料坩埚下降法生长晶体严秀莉吴星（中国科学院物理研究所，１０００８０北京）ＢｒｉｄｇｍａｍＧｒｏｗｔｈｏｆＳｉｎｇｌｅＣｒｙｓｔａｌｗｉｔｈＣｏｎｔｉｎｕｏｕｓＦｅｅｄｉｎｇＹａｎＸｉｕｌｉＷｕＸｉｎｇ（ＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＰｈｓｉｃｓ，Ｃｈｉ.........
在品种繁多的光伏电池中，晶体硅光伏电池最受用户青睐，其光电转换效率高、性能稳定，几乎所有的大型光伏电站都采用晶体硅太阳电池发电......
