Ⅰ线光致抗蚀剂可以同时实用电子束和光学系统曝光，在50kV加速电压下，其曝光剂量为50-100μC/cm^2，曝光后在0.7%NaOH溶液内显影1分钟......

Ｉ－线光致抗蚀剂可以同时被电子束和光学曝光系统曝光，在５０ＫＶ加速电压下，其曝光剂量为５０－１００μＣ／ｃｍ＾２，曝光后在０．７％ＮａＯＨ溶液内显影１ｍｉｎ。其灵敏度比ＰＭＭＡ快５倍，分辨率为０．５μｍ。采......