将铁电材料与红外型器件相结合的微型半导体器件在近年来研究非常活跃,铁电材料本身具有的良好的压电、铁电、热释电、光电及非线......

GaN基HEMT的A1GaN/GaN异质结界面处高二维电子气(2DEG)浓度易受表面态的控制，GaN基HEMT集成功能薄膜影响表面态电荷从而调控2DEG，实......

铁电材料作为感光功能薄膜的红外器件研究近年来十分活跃,其良好的压电、铁电、热释电、光电及非线性光学特性以及能够与半导体工......

GaN基高电子迁移率晶体管（HEMT）作为栅控器件,具有AlGaN/GaN异质结处高浓度的二维电子气（2DEG）及对表面态敏感等特性,在栅位置处与感光......