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随着不断缩小的工艺尺寸，以NBTI为主导的老化因素对VLSI器件寿命的影响尤为突出。针对老化引起的时序违规，提出一种抗老化的结构设计......
针对深亚微米工艺下瞬态故障引发的软错误可能成为芯片失效的重要原因,提出一种容软错误的BIST结构——FT-CBILBO.该结构对并发内......
由于软错误已经成为影响芯片可靠性的主导原因,文章提出一种容忍软错误的高可靠BIST结构——TMR-CBILBO。通过构建三模冗余的容错......
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