当In组分为0.18时,由于InAlN和GaN晶格匹配,InAlN/A1N/GaN HFET成为新一代HFET的研究热点,本文通过平行电导法计算界面缺陷态,发现......

近年来，作为第三代宽禁带半导体材料的典型代表，GaN基氮族半导体器件在高温.高频.大功率器件领域具有广阔的应用前景，在国内外得到了......

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