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本研究利用射频磁控溅镀法在玻璃基板上制备3 at.%的Cr掺杂ZnO薄膜,再以300℃~500℃温度退火处理25 mins,并探讨了退火温度对Al掺杂......
以射频磁控溅镀法在柔性聚碳酸酯基板上成长Al掺杂ZnO薄膜,利用XRD、AES、霍尔效应测试仪及单色分光计测量分析Al靶功率对薄膜光电......
氧化锌(ZnO)是一种用途广泛用途的新型半导体材料,具有优良的电学和光学特性,是制备半导体发光器和半导体激光器的理想材料。其制......
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