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随着超大规模集成电路（VLSI）的发展，器件尺寸越来越小，由此导致RC延时成为制约IC性能提高的技术瓶颈，FN-DLC有着较低的介电常数与良好的......
氧化锌薄膜是一种重要的Ⅱ-Ⅵ族宽带隙半导体薄膜材料,具有较块体更为优异的光、电、磁等性能,可以用来制作场发射器件、紫外纳米......
在外加电场条件下,利用化学气相沉积法制备出了长径比为400∶1的四角状ZnO纳米线.利用多功能场发射测试仪对ZnO纳米线进行了场发射......
氮化铝（Al N）是一种宽禁带深紫外半导体材料,其良好的性能可作为紫外固态光源。采用射频磁控溅射法,在p型Si（100）衬底上制备了Al N薄膜......
