采用直流离子束溅射法,在n型单晶硅衬底上淀积Si1-xGex薄膜。俄歇电子谱(AES)测得Si1-xGex薄膜的Ge含量约为0.15。对薄膜进行高温......

在n型单晶硅衬底上,用射频磁控溅射法沉积Si1-xGex薄膜,在850℃下对薄膜进行40min磷扩散,制备出n-poly-Si1-xGex。俄歇电子谱(AES)......

采用射频磁控溅射法在n-Si（100）衬底上沉积Si1-xGex薄膜,俄歇电子谱（AES）测定Si1-xGex薄膜的Ge含量约为17%。对薄膜进行高温磷扩散掺杂......

对一般情况下肖特基接触的机理和肖特基势垒高度的影响因素做了系统分析,研究了肖特基接触特性的不均匀性及其原因,指出多晶界面势......