ZnO作为一种宽禁带半导体材料,其单晶在室温下禁带宽度约为3.37 eV,激子束缚能高达60 meV。在制造透明导电电极、表面声波器件、传感器、平面板显示器件、太阳能电池等许多领域有着广泛的用途。另外ZnO可以通过3d过渡金属阳离子（如Mn,Co,Fe等）掺杂获得磁性半导体,Dietl从理论上预言了掺杂ZnO稀磁半导体具有室温铁磁性,实验发现,n型稀磁半导体材料大多是顺磁材料,而p型稀磁半导体则可能出现铁磁性。理论预言Sb掺杂可获得p型ZnO,因此制备Sb掺杂、Mn掺杂及Sb,Mn共掺杂ZnO纳米材料并研究其结构与物性具有重要的意义。本论文用溶胶凝胶法制备了Sb掺杂ZnO纳米粒子,通过XRD拉曼光致发光对其结构和光学性质进行了表征。XRD和拉曼谱表明Sb³⁺代替Zn²⁺进入ZnO的格位,随着浓度的增加纳米粒子半径变小;通过变温光致发光谱,计算出在81 K时受主束缚能为131 meV,认为形成了Sb_Zn-2V_Zn复合体,理论计算其受主束缚能为160 meV。溶胶凝胶法制备了Mn掺杂ZnO纳米粒子,XRD和拉曼谱表明,Mn已经掺入了ZnO中;光致发光谱表明掺杂之后紫外可见发光峰的强度都有了很大的降低,并且掺杂后紫外发光峰发生蓝移。溶胶凝胶法制备了Sb,Mn共掺杂ZnO纳米粒子,XRD表明Sb和Mn可能以替代的形式进入ZnO的格位;光致发光谱表明Mn,Sb共掺ZnO样品紫外发光峰发生蓝移,这可能是由于量子的尺寸效应;Raman谱表明掺杂之后的样品在530 cm^-1左右出现了一个宽的拉曼散射峰。