反并联二极管相关论文
由于线路杂散电感存储能量的释放,绝缘门极双极性晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)在开通和关断的瞬态过程中,其两......
【摘要】放大器的非线性失真特性严重影响信号的传输质量，射频预失真是一种有效改善行波管非线性度的方法。本文利用反并联肖特基二......
文章系统阐述了软开关技术的发展过程、基本结构,并给出了软开关的具体应用实例....
本文讲述了三个问题，第一个是关于变频器逆变电路中反并联二极管的作用，顺便说明了发电机状态时的能量交换过程；第二个是关于共母线运......
由于线路杂散电感的存在，IGBT（insulated gate bipolar transistor）开通关断时将在开关管两端产生电压尖峰。为了研究其的影响，需要对......
研究了基于新一代宽禁带1 200 V碳化硅(SiC)MOSFET三相双向逆变器,由于SiC MOSFET的高耐压、低损耗、高开关频率特性,逆变电路的拓......
集成门极换流晶闸管(integrated gate commutated thyristor,IGCT)关断暂态时,其电流迅速由阴极换向到门极,且IGCT反并联二极管因......
