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自支撑闪耀透射光栅集中了透射光栅分光作用的优点和反射式闪耀光栅非零级次闪耀的特点,在激光惯性约束核聚变、天文物理、量子电......
本文利用严格耦合波理论对用于光纤光栅制作的相位掩模的衍射特性进行了深入的研究.研究发现,为了使零级衍射效率小于5％,且正负一级......
研究一种控制多层介质膜上的光刻胶光栅掩模占宽比(线宽与周期之比)的新方法。该方法基于下面的原理:如果某泄漏模在包层中的隐失......
为了检测全息光栅掩模槽形,运用严格耦合波理论(RCWT)分析镀铬基片光栅光刻胶掩模反射0级衍射效率光谱曲线与槽形参量的关系。测量......
便携式仪器的飞速发展，迫切要求有能够快速充电的电池充电器，采用ＭＡＸ７１２／７１３芯片制作的充电器可镉镍／镍氢电池进行快速安全的充电，适用于移动电话......
在啁啾光纤光栅相位掩模的制作中，针对光刻胶光栅槽形要求比较高的问题，提出离子束刻蚀和反应离子束刻蚀相结合的方法，来实现对相位掩......
本文围绕离子束刻蚀衍射光栅的方法,对刻蚀过程中的图形演化展开了理论和实验的研究。主要包括以下几个方面的内容。首先,介绍了离......
由于缺乏有效的实时监控手段,光栅的制作往往需要经过大量的实验摸索来确定工艺参数,因此高质量的光栅制作对人员的经验要求很高。......
利用光刻胶的非线性效应可以制作出了矩形的全息光栅。制作矩形光栅时 ,对槽形的控制被简化为对槽深和占宽比这两个参量的控制。首......
全息光刻-单晶硅各向异性湿法刻蚀是制作大高宽比硅光栅的一种重要方法 ,而如何增大光刻胶光栅的占宽比,以提高制作工艺宽容度和光......
为了在光栅制作中对光栅掩模占宽比及槽深加以控制,结合光刻胶在显影过程中的非线性特性,建立了光栅掩模槽形演化的数学模型,由此......
本文围绕取样光栅制作过程中的铬掩模占宽比测量展开了理论研究和实验研究。取样光栅要求1级平均衍射效率0.1%-0.3%，衍射效率RMS小......
