单粒子多瞬态相关论文
由于负偏置温度不稳定性和热载流子注入,p型金属氧化物半导体场效应晶体管(pMOSFET)将在工作中不断退化,而其SiO2/Si界面处界面态......
为了评估数字电路的软错误敏感性,研究了一种适于FPGA的单粒子多瞬态(SEMT)诱导的组合电路软错误评估方法.考虑脉冲传输过程中受到......
为了准确评估电路的失效概率,提出一种考虑单粒子多瞬态(SEMT)的数字电路失效概率评估方法.该方法通过解析电路门级网表提取SEMT故......
伴随着我国航天工业和航天活动的不断成长,抗辐照集成电路相关研究经历了从无到有,从弱到强的发展历程,空间辐射效应以及集成电路......
随着国家综合实力的提升,航天技术得到了快速发展,与此同时宇宙中的航天器的性能要求也越来越高,大尺寸的半导体工艺技术已经无法......
随着我国航天技术的飞速发展,空间集成电路抗辐照设计及相关辐照效应机理研究已成为学术界和工业界重点关注的问题。然而,纳米工艺......
半导体制造技术的持续发展,使得如今的纳米尺寸集成电路中晶体管尺寸、供电电压和关键电荷持续减小,由于集成电路已广泛应用于生产......
随着中国综合国力的进一步提升,航天航空器材和武器装备对国产抗辐射芯片的需求越来越迫切。抗辐射集成电路和辐射效应的研究吸引......
随着集成电路工艺的进步,器件尺寸和关键电荷等不断的减小,使得工作在各种辐射环境下的电子器件中的集成电路极易受到辐射的干扰,......
