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本文介绍一种ECL超高速程控分频器的逻辑设计、电路设计、版图设计及研制结果.采用氧化物隔离工艺、全离子注入等2μm工艺技术制作......
该文详细阐述一种自对准、全离子注入、Poly-Si发射极工艺的研究。该工艺已应用于超高速A/D、D/A转换器的研制中。利用该研究成果成功地开发了转......
针对数字电路的开发和应用,设计了一种薄基区晶体管,其横向结构采用单侧基极引出。 采用全离子注入,实现了基区宽度为80~100 nm的n......
本文研究了先进的全离子注入自对准难熔金属氮化物复合栅GaAsMESFET场效应晶体管的工艺技术。......
为研究单基极薄基区晶体管的特性,设计了一种单侧基极引出结构薄基区的晶体管,在p型SOI衬底上全离子注入实现了基区宽度为80nm的npn......