俄歇复合相关论文
近几十年来,纳米材料以其优异独特的物理化学性质,在发光二极管、太阳能电池、光催化、生物检测等诸多领域展现出了广阔的应用前景......
随着电力电子器件的迅猛发展,从日常使用的家用电气、交通工具到航天航空,处处都体现着电力电子器件的身影,因此如何提高器件的击......
学位
研究了俄歇复合、电子泄漏和空穴注入对深紫外发光二极管(DUV LED)效率衰退的影响。结果表明,当俄歇复合系数从10-32 cm6·s-1增大......
以行波放大器速率方程为基础，采用传输矩阵方法，对行波放大器的增益饱和特性进行了理论研究，讨论了增益饱和特性对电流注入水平、腔面......
纳米绒面黑硅结构能够在不外加减反层的情况下获得良好的陷光作用,但是在实际应用中受限于严重的复合和较大寄生面积,因而,仍旧需......
经过近十年的发展,钙钛矿太阳能电池的效率由2009年的3.8%提升到现在的24.2%,且具有千小时级的稳定性;蓝、绿和红光钙钛矿LED均具......
通过考虑不同因素对压应变和张应变量子阱激光器阈值电流和特征温度的影响,得到了俄歇复合和非俄歇复合对阈值电流起主要作用的转......
目前,中红外器件的应用已越来越广泛.为了更好地了解此类器件的结构和发展状况,本文结合国外在此方向上所取得的结果,对这类器件的......
本文从理论上剖析影响半导体激光器热特性的主要因素，包括：(1)俄歇复合几率的大小；(2)有源区的载流子泄漏；(3)价带间光吸收；(4)激光器有......
为了解决半导体激光器在高温、高功率情况下工作时出现的阈值电流升高，波长飘移，发光效率下降等问题，设计并生长了一种具有高特征温度......
基于Boltzmann方程,采用了Chen J K等人建立的自相关模型,考虑了Si薄膜的热容、热导率、弛豫时间等热力学参量随温度非线性变化的......
GaAs基AlGaInP LED是目前光电子器件研究领域的国际前沿和热点，伴随工业制备技术的日趋成熟，其稳定性和发光效率都得到了明显的提升.......
为探索界面工程对二维材料范德华异质结构中载流子复合率的影响,本工作基于界面键弛豫理论和费米黄金定则,建立了范德华异质结俄歇......
自从OLED及QD-LED提出以来,因其在能源消耗、显示质量、低成本以及轻便等特点,所以已经成为显示领域研究的热点。本文以研究OLED及......
半导体量子点是准零维结构,不同于其体材料,具有类似于原子的分立能级,也被称为“人造原子”。其中,胶体量子点的光学性质具有明显......
对于太阳能电池,日常生活中已不再陌生,而太阳能电池中,硅基太阳能电池更是被广泛关注。目前,提高硅基太阳能电池的转换效率成为其......
本文从文献测得InGaAsP材料中存在着较大的俘获截面、较高的深能级杂质(或缺陷)浓度的事实出发,应用了文献(13)所提出的深能级引起......
有机-无机钙钛矿是一类重要的材料,它具有较长自由载流子扩散长度,高电荷载流子迁移率,可调谐带隙,高荧光量子产率(PLQY)和溶液加......
主要利用电致发光的实验手段,研究了极化效应对InGaN基LED器件发光特性的影响。实验中发现,InGaN基LED器件的峰位随注入电流的增加......
本文按照第一性原理方法并利用k·p理论对InAs/(In)GaSb超晶格的电子能带结构、力学和光学特性进行了系统的计算和分析,着重探讨了......
近年来,一类具有钙钛矿晶体结构的金属卤化物半导体材料横空出世,在光电转换器件方面取得了非同一般的表现,与器件进展相比,钙钛矿......
采用低压金属有机物化学气相沉积(LP-MOCVD)设备,在(100)面GaSb单晶衬底上生长了Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料,它可用来制作非制冷红外......
为了解决半导体激光器在高温、高功率情况下工作时，出现的阈值电流升高，波长漂移，发光效率下降等问题，我们设计并制作了具有高特征温度......
半导体量子点的大小一般约为1-20 nm,包含约100-100000个原子。由于半导体量子点的尺寸较小,其内部电子、空穴波函数空间重叠度较......
