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低温InGaAs相关论文
低温InGaAs/InAlAs多量子阱的分子束外延生长与表征
采用气源分子束外延(GSMBE)生长了低温InGaAs材料,研究了生长温度及As压对InGaAs材料性质的影响,得到优化的生长条件为:生长温度为300 ......
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