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基于k·p微扰法计算了单轴〈111〉应力作用下硅的价带结构,并与未受应力时体硅的价带结构进行了比较.给出了单轴〈111〉应力作用下......
基于应变硅的金属氧化物场效应晶体管是下一代CMOS技术非常有希望的候选者并且在65nm技术中已经开始应用。对于电子迁移率在这些异......
以ZnO为代表的氧化物半导体材料的研究是目前国内外非常感兴趣的课题，自从1996、1997年陆续报道了ZnO薄膜的室温光泵浦紫外激射、及......
在III族氮化物半导体中,氮化镓基材料由于具有可调的禁带宽度以及优异的光、电性能,使得其在光电器件和高温、高频、大功率器件中......
由于电子和空穴迁移率远高于应变Si，且其与Si工艺有良好的兼容性，Ge及应变Ge将成为16nm及更小特征尺寸的金属氧化物半导体场效应晶体......
