在对体硅CMOS倒相器直流特性、瞬态特性的高温模型和高温特性深入研究的基础上,提出了高温体硅CMOS倒相器结构参数设计的考虑,给出......

本文主要研究高温SOI CMOS倒相器在(27～300℃)宽温区的瞬态特性.研究结果表明:当采用N+PN++和P+PP++结构薄膜SOI MOSFET组合,并且其......

在300～600K温度范围内,利用ISE TCAD模拟软件对全耗尽SOI电路的温度特性进行了模拟分析,得到了较全面的SOI CMOS倒相器静态特性和瞬......

SOI CMOS电路因具有低结电容、二级效应小以及无热激发闩锁效应等优点,现已广泛的应用于高速低功耗IC设计领域。但由于SOI结构中的......