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NTD C2—Si708Cm^—1,742Cm^—1,776Cm^—1中照缺陷红外...
本文报道了NTD CZ-Si 708cm~(-1)、742cm~(-1)、776cm~(-1)中照缺陷红外吸收带退火特性和温度特性的研究结果.三个带产生的退火温......
期刊
硅
红外吸收带
缺陷
中照
退火
NTD CZ-Si
Defect
Infrared absorption band
Annealing characte
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