NTD C2—Si708Cm^—1,742Cm^—1,776Cm^—1中照缺陷红外...

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：anquanke123

【摘要】

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本文报道了NTD CZ-Si 708cm~(-1)、742cm~(-1)、776cm~(-1)中照缺陷红外吸收带退火特性和温度特性的研究结果.三个带产生的退火温度为350℃-550℃,500℃退火效应最明显,峰强

【作者】

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何秀坤王琴

【机构】

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天津电子材料研究所,天津电子材料研究所天津300192,天津300192,天津300192

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

1991年1期

【关键词】

：

硅红外吸收带缺陷中照退火 NTD CZ-Si Defect Infrared absorption band Annealing characte

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本文报道了NTD CZ-Si 708cm~(-1)、742cm~(-1)、776cm~(-1)中照缺陷红外吸收带退火特性和温度特性的研究结果.三个带产生的退火温度为350℃-550℃,500℃退火效应最明显,峰强达到最大值;10-95K变温测量峰位频移为零.10-60K时,峰强随温度升高而平缓增加,60K时达到最大值.在60-95K温区,峰强随温度升高而迅速下降,至100K时已全部消失.

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