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从器件可靠性角度出发提出两种升压电荷泵新结构.一种不需用高压工艺但是需要三阱工艺,一种既不需高压工艺也不需三阱工艺,可以用......
提出一种适用于单电源，低电压供电的Flash Memory的负高压电荷泵的实现方法。在分析传统电荷泵工作原理的基础上．结合Flash工作电压......
随着集成电路工艺的迅速发展,芯片功能越来越复杂,空间环境、工业环境等产生的辐射对半导体器件及电路系统产生影响,并且可能导致......
中国航天科技的快速发展驱动集成电路系统在航空航天领域中有着广泛的应用,芯片制造工艺的特征尺寸不断缩小使得空间高能粒子辐射......
针对传统双层多晶EEPROM的诸多不足之处,介绍了相对较有潜力的单层多晶的EEPROM,主要对比了传统的双层多晶的EEPROM和单层多晶的EE......
随着集成电路制造工艺的发展,器件特征尺寸不断减小,器件间距也随之减小。当辐射环境中的高能粒子轰击半导体器件灵敏区域时,会在......
在纳米尺度下,单粒子效应的不仅将对航空航天应用产生更为严重的影响,而且对90nm及其以下工艺的地面应用产生的影响也愈发突出、严......
基于0．18μm射频锗硅工艺，提出了一种可广泛应用于无线通信系统的低插入损耗和高线性度的射频开关电路。该电路利用特殊的深N阱工艺......
