搜索筛选:
搜索耗时0.9774秒,为你在为你在102,267,441篇论文里面共找到 1,000 篇相符的论文内容
发布年度:
[会议论文] 作者：Guochang Xu,Qing Wang,Rongzhi Liu,
来源：The 18th Congress of the International Federation of Associa 年份：2014
To Detect body composition of Hui schoolchildren in Nanyang city, and to explore the characteristics...of body composition changes in the Hui population with ages.The human body composition was detected...
[会议论文] 作者：Ying-Fan Yu,Min Ma,Yan-Qing Li,Ying Liu,
来源：The 11th International Conference of Asian Academy of Preven 年份：2014
Objectives: To recognize the status of dental caries and filling treatment of deciduous teeth among Hui...and Han preschool children in Ningxia.Method: 2592 Hui and Han preschool children aged 3 to 5 ye...
[会议论文] 作者：Bj(o)rn Gustafsson,Ding Sai,
来源：中央民族大学 年份：2012
The Hui population in the Ningxia autonomous region of China is disadvantaged to the Han majority when...it comes to length of education as well as household wealth.However, as Hui earn more outside the...
Effect of GaN Channel Layer Thickness on DC and RF Performance of GaN HEMTs With Composite AlGaN/GaN
[会议论文] 作者：Xinhua Wang,Sen Huang,Yingkui Zheng,Ke Wei,Xiaojuan Chen,Xinyu Liu,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
The effects of GaN channel layer thickness on dc and RF performance of AlGaN/GaN HEMTs with a state-of-the-art...composite AlGaN/GaN (1/1 μm) buffer were systematically investigated.Although HEMTs with...
[会议论文] 作者：赵妙,刘新宇,袁婷婷,庞磊,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
基于能带结构模拟的结果,讨论了GaN帽层引起的能带变化同AlGaN/GaN HEMT肖特基特性之间的关系,比较了有无GaN帽层的HEMT肖特基特性的变化,从模拟计算和实验结果来看,由于GaN...
[会议论文] 作者：MangXIAO;,
来源：2011年信息技术、服务科学与工程管理国际学术会议 年份：2011
In China, the construction of the small towns provides many chances for the Hui-nationality women to...
[会议论文] 作者：徐慧,孟子厚,
来源：第八届中国语音学学术会议暨庆贺吴宗济先生百岁华诞语音科学前沿问题国际研讨会(PCC2008/ISPF2008) 年份：2008
本文针对鼻韵母an-ang、en-eng易混淆的现象,提出了一种以Mel频谱能量差异为区别特征的an-ang、en-eng分类器设计方法。实验通过大量语音样本统计出每一对鼻韵母前半数帧的平...
Deposition and characterization of BiFeO3 thin films by pulsed laser deposition on GaN and AlGaN/GaN
[会议论文] 作者：W.B.Luo,J.Zhu,Y.R.Li,X.P.Wang,Y.Zhang,
来源：第四届国际表面与界面科学与工程学术会议(The Fourth International Conference on S 年份：2009
BiFeO3 (BFO) thin films was deposited by pulsed laser deposition (PLD) on GaN and AlGaN/GaN semiconductor...substrates.It was found that BFO films deposited directly on GaN show polycrystalline state wi...
[会议论文] 作者：王茂俊;沈波;王彦;黄森;许福军;许谏;杨志坚;张国义;,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
通过高温Hall测量研究了GaN和AlxGa1-xN/GaN异质结从室温到500℃高温下的输运性质.实验发现GaN背景载流子浓度随着温度的升高而升高,载流子浓度变化的幅度和GaN的位错密度存...
[会议论文] 作者：Mang XIAO,
来源：美国科研出版社 年份：2011
In China, the construction of the small towns provides many chances for the Hui-nationality women to...
[会议论文] 作者：张荣, 修向前, 陆海, 陈鹏, 谢自力, 刘斌, 韩平,,
来源： 年份：2004
HVPE是近年来收到高度重视的GaN生长方法。由于它具有生长速率高、生长质量优良等特点,是目前发展GaN自支撑衬底、GaN模板和部分低成本器件的优选方法。本文将综述GaN的H...
[会议论文] 作者：许正昱,许福军,黄呈橙,王嘉铭,张霞,沈波,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
AlGaN/GaN异质结构和AlInN/GaN异质结构是发展GaN基高温、高频、大功率电子器件的最重要也是最基本的结构。...而半绝缘GaN层的电阻和结晶质量对AlGaN/GaN和AlInN/GaN异质界...
[会议论文] 作者：任尧成,李伟,李存才,李爱珍,
来源：第六届全国分子束外延学术会议 年份：2001
用多种生长方法相结合的方法来降低GaN基材料与异质衬底之间的大失配问题,是提高材料质量的重要方法.本文介绍了原膜GaN衬底上的GaN生长方法,并用双晶X射线衍射仪及紫外一可...
[会议论文] 作者：Dongguo Zhaang,Zhonghui Li,Daqing Peng,Xun Dong,Liang Li,Jinyu Ni,张东国,李忠辉,彭大青,董逊,李亮,倪金玉,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
利用低压MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长了AlGaN/GaN二维电子气(2DEG)材料,在GaN生长中插入一层低温GaN,并研究了低温GaN插入层对二维电子气输运特性的影响。使用原子力显...
[会议论文] 作者：Dongguo Zhaang,张东国,Zhonghui Li,李忠辉,Daqing Peng,彭大青,Xun Dong,董逊,Liang Li,李亮,Jinyu Ni,倪金玉,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
利用低压MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长了AlGaN/GaN二维电子气(2DEG)材料,在GaN生长中插入一层低温GaN,并研究了低温GaN插入层对二维电子气输运特性的影响。...使用原子力显微镜(AFM)和非接触霍尔测试仪测量了材料的表面形貌和电学特性,发现低温GaN插入层可以改善材料表面平整度并使AlGaN/GaN2DEG的电子迁移率有明显提高,GaN插入层温度为860℃的样品...
[会议论文] 作者：桑玲,朱勤生,杨少延,刘贵鹏,李辉杰,刘舒曼,王占国,郝跃,沈波,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
The band offsets of non-polar A-plane GaN/AlN and AlN/GaNheterojunctionsare measured by x-ray photoemission...spectroscopy.A large forward-backward asymmetry is observed in the non-polar GaN/AlN and AlN...
[会议论文] 作者：李诚瞻,魏珂,郑英奎,刘果果,庞磊,刘新宇,,
来源：半导体技术 年份：2008
研究了GaN基外延材料对Al GaN/GaN HEMT电流崩塌效应影响,基于背对背肖特基I-V特性的对称性与Al GaN/GaN HEMT电流崩塌效应的对应关系,提出了一种检验GaN基外延材料的简便方...
[会议论文] 作者：冯志红;,
来源：第十四届全国固体薄膜学术会议 年份：2014
随着GaN基电子器件的应用逐渐向更高频、更大功率和更快速度推进,传统的以AlGaN/GaN异质结为核心的HFET器件开始遭遇瓶颈,探索新型GaN基异质结外延材料势在必行。由于InA...
[会议论文] 作者：张波,周琦,陈万军,
来源：第十一届中国国际半导体博览会暨高峰论坛 年份：2013
宽禁带半导体氮化镓(GaN)器件具有高压、高速、高效率、耐高温等优点,针对未来功率电子应用,GaN器件具有传统硅材料器件所不可比拟的特性优势.硅基GaN (GaN-on-Si)功率半导体...
[会议论文] 作者：杨华,谢自力,修向前,赵红,陈鹏,张荣,施毅,韩平,郑有炓,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
由于GaN纳米材料具有不同于体材料的独特性质及其在电子学、光子学、超高密度存储等方面的广泛的应用前景,近年来关于GaN纳米结构的研究越来越受到人们的关注,一种新的GaN纳米结构的制备方法迅速跃入人们的视野...:用自组织的镍纳米岛作为掩膜来进行GaN纳米结构的制备.本文采用上述方法进行GaN纳米柱的制备....
相关搜索：
