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<正>HVPE是近年来收到高度重视的GaN生长方法。由于它具有生长速率高、生长质量优良等特点,是目前发展GaN自支撑衬底、GaN模板和部分低成本器件的优选方法。本文将综述GaN的HVPE生长研究进展,报告本实验室在HVPE生长GaN方面的研究工作,特别是GaN厚膜生长、剥离和应用研究。
GaN的HVPE生长研究
【摘 要】
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<正>HVPE是近年来收到高度重视的GaN生长方法。由于它具有生长速率高、生长质量优良等特点,是目前发展GaN自支撑衬底、GaN模板和部分低成本器件的优选方法。本文将综述GaN的H
【机 构】
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南京微结构国家实验室(筹),江苏省光电信息功能材料实验室,南京大学物理系;
【发表日期】
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2004年期
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