搜索筛选:
搜索耗时0.6276秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 4 篇相符的论文内容
发布年度:
[会议论文] 作者：黄美浅,袁骏,
来源：第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：1997
...
[会议论文] 作者：林晓玲,黄美浅,章晓文,
来源：2003第十届全国可靠性物理学术讨论会 年份：2003
介绍了评价热载流子注入效应的加速寿命试验,以漏极饱和电流ΔIdsat=10％为失效判据,对该工艺线的热载流子注入效应进行了评价.整个测试过程由程序控制,设备精度高,使用简便,适...
[会议论文] 作者：朱炜玲,黄美浅,章晓文,
来源：中国电子学会可靠性分会第十一届学术年会 年份：2002
本文从热载流子效应引起器件特性退化角度出发,对几种不同沟长n沟MOSFET的主要特性参数(线性区最大跨导)在直流电应力下的退化特性进行了测试与分析比较,还从热载流子效应机理对器件退化模式进行了解释.......
[会议论文] 作者：黄美浅,张玉玺,廖奕水,翁文华,曾绍鸿,
来源：第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：1999
用低能量（５５０ｅＶ）氩离子束轰击ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ芯片的背面，能改善其阈值电压Ｖｒ、跨导ｇ〈，ｍ〉、沟道电导ｇ〈，ｄ〉、有效迁移率μ〈，ｅｆｆ〉等参数。结果表明，随着轰击时间的增加，阈值电压先减小，然后增大；而跨导、沟道电......
相关搜索：
