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[会议论文] 作者：戴显英,胡辉勇,张鹤鸣,
来源：第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：2003
采用紫外光能量辅助超高真空化学气相淀积(UV/UHVCVD)技术,在450℃低温下外延生长了SiGe/Si材料,对SiGe材料进行了x射线衍射分析,讨论了SiGe材料的结晶性及生长速率与生长温度和Ge组分的关系.基于紫外光化学气相反应的机理,本技术具有淀积温度低的优点.基于切断......
[会议论文] 作者：田靖,张鹤鸣,胡辉勇,宣荣喜,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
采用溶胶凝胶法，制备了以BZN薄膜为栅介质的GaN基MIS结构，测试分析了MIS结构样品的表面形貌、薄膜厚度、高频C-V曲线。在实验数据的基础上，得到BZN薄膜相对介电常数为91,CaN...
[会议论文] 作者：俞智刚,胡辉勇,张鹤鸣,戴显英,
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
本文在考虑了AlxGa1-xN/GaN异质结压电和自发极化效应的基础上,通过求解泊松方程,建立了AlxGa1-xN/GaN量子阱沟道中电子面密度和阈值电压模型.应用MATLAB软件对该模型进行了...
[会议论文] 作者：李敏,张鹤鸣,宋建军,胡辉勇,宣荣喜,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
为确保芯片的稳定工作,许多集成电路都需要有高质量的内部稳定电压源,为芯片内部其他电路提供稳定的电压.本文设计了一款适用于芯片内部的具有温度系数低,电源抑制比高,...
[会议论文] 作者：傅强,张鹤鸣,胡辉勇,戴显英,宣荣喜,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
生长在驰豫SiGe层上的Si产生张应变，使载流子的迁移率显著提高，因此应变Si NMOSTET可以得到非常好的性能。本文在讨论分析了应变SiNMOSFET的结构特性和器件物理的基础上，推...
[会议论文] 作者：张志锋,张鹤鸣,胡辉勇,宣荣喜,宋建军,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
本文在研究分析驰豫SiGe衬底上的应变Si沟道nMOSFET纵向电势分布的基础上,建立了应变Si nMOSFET阈值电压模型,并利用该模型对不同的器件结构参数进行仿真,获得了阈值电压、阈...
[会议论文] 作者：宋建军,张鹤鸣,戴显英,胡辉勇,宣荣喜,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
应变Si CMOS技术是当前研究发展的重点，其材料的能带结构是研究设计高速/高性能器件和电路的理论基础。本文采用结合形变势理论的KP微扰法，建立了(001)面弛豫Si1-xGex衬底上生长的张应变Si的能带结构模型。结果表明：[00±1]方向能谷构成了张应变Si导带带边，其能量值......
[会议论文] 作者：吕懿,张鹤鸣,戴显英,胡辉勇,舒斌,姜涛,
来源：第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：2003
在分析SiGe HBT工作机理的基础上,建立了物理意义明确的SiGe HBT等效电路模型.模型中传输电流I的计算不能用漂移扩散理论,本文运用热电子发射理论对SiGe HBT GP模型中传输电...
[会议论文] 作者：王天军,张鹤鸣,戴显英,胡辉勇,宣荣喜,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
研究设计了一款控制PWM输出的双极型上升沿T触发器。该触发器未采用传统双非门锁存结构，而通过内部电平控制实现对信号的锁存。芯片设计采用双极器件工艺，而非BiCMOS工艺，工......
[会议论文] 作者：胡辉勇;张鹤鸣;戴显英;宣荣喜;俞智刚;王喜媛;,
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
集电结空间电荷区的渡越时间是影响晶体管交流放大系数和频率特性的重要参数.本文分三种情况求解了SiGeHBT集电结耗尽层宽度,建立了不同集电极电流密度、包括基区扩展效应条...
[会议论文] 作者：胡辉勇,张鹤鸣,戴显英,宣荣喜,区健锋,王喜媛,
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
本文通过求解泊松方程,建立了应变Si调制掺杂NMOSFET量子阱沟道阈值电压模型,利用MATLAB软件对该模型进行了数值分析.讨论了器件结构中δ-掺杂层杂质浓度和间隔层厚度与电子...
[会议论文] 作者：魏璇,舒斌,张鹤鸣,宣荣喜,胡辉勇,宋建军,陈景明,
来源：第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2014
文中介绍了SnxGe1-x在设计新型光电器件的重要作用,并且说明了该材料巨大前景.对SnGe合金的各项特性进行了说明,以此为基础设计了一种新型LED并且研究了在实际工艺中,SnGe合...
[会议论文] 作者：胡辉勇,张鹤鸣,戴显英,舒斌,姜涛,吕懿,王喜媛,
来源：第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：2003
本文建立了SiGe pMOS器件量子阱沟道中空穴面密度的准静态物理模型,讨论了器件结构中δ-掺杂层的杂质浓度与体征层厚度与空穴面密度的关系,以及栅压与空穴面密度的关系.最后,...
[会议论文] 作者：姜涛,张鹤鸣,戴显英,崔晓英,舒斌,胡辉勇,王喜媛,
来源：第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：2003
目前已经报道了能够实现"异或"、"或"以及"与非"功能的RST(实空间电荷转移)逻辑器件.本文探索性的提出了一种实现"与"逻辑功能和发光器件结合的RST器件结构....
[会议论文] 作者：姜涛,张鹤鸣,戴显英,崔晓英,舒斌,胡辉勇,王喜媛,
来源：第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：2003
本文在研究分析SiGe材料实空间电荷转移器件(RST)的结构及原理的基础上,基于SiGe材料物理与电学特性建立了该器件的电流-电压特性模型,并进行了模拟分析,结果表明,模拟结果与实验结果符合较好.......
[会议论文] 作者：魏璇,舒斌,张鹤鸣,宣荣喜,宋建军,胡辉勇,朱峰,陈景明,
来源：第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2014
为了进一步提高非晶硅太阳能电池的转换效率,在各种相关方面进行了研究,并在现有基础上进行了改进.双减反射层可以降低光的反射,双层TCO绒面可以增加关在太阳能电池内部吸收,...
[会议论文] 作者：陈景明,舒斌,张鹤鸣,宣荣喜,胡辉勇,宋建军,朱峰,魏璇,
来源：第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2014
光电集成(OEIC)是将微电子和光电子技术相结合的一门新兴学科.本文提出利用GeSn合金来实现Si基单片光电集成的想法.GeSn具有高载流子迁移率、高发光系数等优点,在高速器件和...
[会议论文] 作者：陈景明,舒斌,张鹤鸣,宣荣喜,胡辉勇,宋建军,朱峰,魏璇,
来源：第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2014
本文介绍了一款新型模拟软件wxAMPS,并根据仿真要求对软件进行了改进.通过改进的wxAMPS 对单结的pin结构非晶硅太阳电池进行仿真研究,从太阳能电池窗口层的仿真分析中,得到了...
[会议论文] 作者：舒斌,张鹤鸣,宣荣喜,胡辉勇,宋建军,王斌,周春宇,朱峰,
来源：第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2011
利用二维器件模拟器MEDICI，模拟分析了6掺杂层的杂质分布与应变Si NMODFET电学特性的关系。结果表明，在掺杂剂量一定的情况下，对于均匀分布，漏电流随δ掺杂层厚度的减小而增大，亚阈特性基本保持不变；对于高斯分布，δ掺杂层峰值浓度越大，器件的亚阈特性越差，饱和漏电流越......
[会议论文] 作者：区健锋;张鹤鸣;胡辉勇;戴显英;宣荣喜;俞智刚;王喜媛;,
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
本文基于SiGeHBT的物理模型,建立了描述SiGeHBT的大信号等效电路模型.该等效电路模型考虑了准饱和效应和自热效应等,模型分为本征和非本征两部分,物理意义清晰,拓扑结构相对...
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