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[会议论文] 作者：王友年,
来源：第五届全国工业等离子体会议暨第五届高离化磁控多弧技术研讨会及第二届 PVD 企校合作高层论坛 年份：2017
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[会议论文] 作者：胡章虎,王友年,
来源：第十六届全国等离子体科学技术会议暨第一届全国等离子体医学研讨会 年份：2013
引言 强流离子束传输和聚焦的研究在很多方面都有着重要的应用,如温密物质研究、高能高密度物理以及重离子束驱动惯性约束聚变等.大量的实验和理论研究表明等离子体可以作为...
[会议论文] 作者：刘永新,高飞,王友年,
来源：第十七届全国等离子体科学技术会议 年份：2015
射频放电中，当气压较高时，欧姆加热维持放电;当气压较低时，无碰撞加热(或随机加热)起主导作用。在容性放电中，当电极间隙和驱动频率满足共振条件时，会出现共振加热现象，高能共振电......
[会议论文] 作者：王桂秋,王友年,
来源：中国物理学会2011年秋季学术会议 年份：2011
碳纳米管可分为单壁碳纳米管(SWNT)和多壁碳纳米管(MWNT).可将单壁碳纳米管看成是由石墨平面卷曲而成,并在其两端罩上碳原子的封闭面.石墨平面的卷曲方式决定着管子的直径,螺旋性及其晶格常数,也决定着碳纳米管的物理性质.......
[会议论文] 作者：徐翔,冯杰,王友年,
来源：第十五届全国等离子体科学技术会议 年份：2011
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[会议论文] 作者：孟显,王友年,马腾才,
来源：第九届全国等离子体科学技术会议 年份：1999
该文利用流体力学理论研究了电子发射对稳态鞘层的影响，文中考虑了电子和中性原子的碰撞，数值结果表明：与不考虑碰撞的结果相比，鞘层中的发射电子密度、发射电子能量，总粒子密度和......
[会议论文] 作者：高飞,赵书霞,王友年,
来源：第十五届全国等离子体科学技术会议 年份：2011
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[会议论文] 作者：王岩,徐翔,王友年,
来源：第十六届全国等离子体科学技术会议暨第一届全国等离子体医学研讨会 年份：2013
感应耦合等离子体源(Inductively Coupled Plasmas,ICP)可在低气压(1-50 mTorr)下产生高密度的等离子体(＞1011 cm-3),己被广泛应用于芯片加工工艺当中.此外,在磁约束核聚变中,ICP源也被选择作为中性束注入系统的离子源.我们所模拟的ICP源的放电腔室是一个柱状结......
[会议论文] 作者：宋远红, 徐翔, 王友年,,
来源： 年份：2004
平行板式的低气压容性耦合等离子体源(Capacitively Coupled Plasma,CCP)由于设备结构简单,空间均匀性好等特点,已广泛地应用于材料表面处理工艺中,如半导体芯片刻蚀及薄...
[会议论文] 作者：赵永涛,程锐,王友年,
来源：第六届全国高能量密度物理会议 年份：2016
团队近期研究了100 keV量级质子束和氦离子束在放点等离子体中的能量沉积与输运过程。实验发现，离子束在等离子体中的能量沉积相比在等离子体气体中的能量沉积高数倍，而He...
[会议论文] 作者：刘永新,赵凯,高飞,王友年,
来源：第五届全国工业等离子体会议暨第五届高离化磁控多弧技术研讨会及第二届 PVD 企校合作高层论坛 年份：2017
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[会议论文] 作者：梁英爽,刘永新,王友年,
来源：第五届全国工业等离子体会议暨第五届高离化磁控多弧技术研讨会及第二届 PVD 企校合作高层论坛 年份：2017
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[会议论文] 作者：宋远红,徐翔,王友年,
来源：第十五届全国等离子体科学技术会议 年份：2011
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[会议论文] 作者：张雅,宋远红,王友年,
来源：第十六届全国等离子体科学技术会议暨第一届全国等离子体医学研讨会 年份：2013
引言作为一个在极端状态物质的实验室测量的新兴领域,高能量密度物理(HEDP)涉及到压强大于1Mbar和温度大于1 eV的极端物态,类似于巨大星星中心的等离子体,主要应用于天体物理和惯性约束聚变.目前激光技术能产生强流脉冲质子束,该质子束与固体靶相互作用是研究HE......
[会议论文] 作者：刘岳,张权治,王友年,
来源：第十六届全国等离子体科学技术会议暨第一届全国等离子体医学研讨会 年份：2013
引言磁控放电技术广泛地应用于薄膜沉积领域中,其一般施加几百高斯的磁场约束电子进而提高等离子体密度.传统的直流磁控等离子体因只能溅射金属靶材在许多领域中受到限制,射频磁控放电技术则有效地改善了这一弊端.近些年来,随着薄膜材料日新月异地发展以及半导......
[会议论文] 作者：薛婵, 高飞, 张钰如, 王友年,,
来源： 年份：2017
感性耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma,即ICP)由于其具有大面积、高密度、离子能量和通量能够独立控制等优点,通常被用于半导体器件的生产过程中。随着晶元尺寸的增...
[会议论文] 作者：张钰如,徐翔,王友年,A.Bogaerts,
来源：第十五届全国等离子体科学技术会议 年份：2011
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[会议论文] 作者：胡章虎,宋远红,王友年,
来源：第十五届全国等离子体科学技术会议 年份：2011
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[会议论文] 作者：温德奇,刘巍,高飞,王友年,
来源：第十七届全国等离子体科学技术会议 年份：2015
半导体芯片制造中至少有三分之一的过程与等离子体有关,而等离子体刻蚀是其中必不可少的工艺之一.Hybrid model计算时间段，速度快Hybrid model能够尽可能全面的考虑化学反应动...
[会议论文] 作者：李莲,张雅,姜巍,王友年,
来源：第十六届全国等离子体科学技术会议暨第一届全国等离子体医学研讨会 年份：2013
强流离子束与固体靶相互作用是产生温稠密等离子体的手段之一,该过程不仅是重要的基础物理问题之一,也有助于对于重离子束驱动惯性约束聚变以及天体物理等过程的理解.目前美国的HIF-VNL正在NDCX-Ⅰ和NDCX-Ⅱ装置上研究中等质量的离子束与固体铝靶相互作用产生温......
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