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[会议论文] 作者：薛军帅,张进成,郝跃,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
基于Ⅲ族氮化物材料的高电子迁移率晶体管(HEMT)成为固态微波功率器件研究的热点,并取得了显著进展.为了提高HEMT器件工作频率,需要缩短器件栅长,并减薄势垒层厚度而保持足够大的栅长与势垒层厚度之比,因此薄势垒异质结材料成为提高器件工作频率的必然选择...
[会议论文] 作者：张友;周心怀;杨波;王飞龙;王军;王粤川;,
来源：中国地质学会2013年学术年会 年份：2013
沙垒田凸起位于渤海海域西部,已相继在凸起东段新近系发现曹妃甸11-1、曹妃甸11-2、曹妃甸11-3/5、曹妃甸11-6/12-1、曹妃甸12-1南等多个油田.难度。沙垒田凸起被渤中凹陷、...
[会议论文] 作者：郭慧君,黄维,刘熙,卓世异,周仁伟,郑燕青,施尔畏,
来源：第17届全国晶体生长与材料学术会议 年份：2015
台阶位置和平面位置原子构型的区别，在台阶位置存在额外的势垒，即Ehrlich-Schwoebel(ES)势垒.ES势垒对外延薄膜生长质量有重要影响，不仅增加薄膜的表面粗糙度和降低薄膜的最...
[会议论文] 作者：马洪连,
来源：1999年全国玻璃工业节能新技术交流会 年份：1999
后胸墙坯垒新技术应用及ＸＭ－５００Ａ硅质热修补料试用。...
[会议论文] 作者：曾鹊,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
AlGaN/GaN HEMT在高频大功率器件中具有广泛的应用前景.为了提高HEMT器件的工作频率,栅长需要不断减小,随着栅长的减小,器件短沟道效应严重,减小势垒层厚度能有效抑制短沟道效应,在减小势垒层厚度的同时...,为了维持2DEG的浓度不变,必须提高势垒层的Al组分,然而,随着势垒层Al组分的提高,势垒层结晶质量下降,表面形貌恶化,器件电学特性变差....
[会议论文] 作者：张慧智,高悦,
来源：2012学校体育科学学术会议(2012 Academic Conference of School Physical E 年份：2012
本文运用数据分析、参考文献、观察法等各种分析手法,研究一垒手的防守位置特点.以一垒手接杀球的各项数据和位置技术为主要分析内容.主要结论得出一垒手的防守位置灵活多变,根据不同局面采取不同防守站位.前后左右各方向反应...、起动快速.主要体现的是向前起动判断准确,两侧正反手反应快速,手法准确,转身回垒向后的起动快速,熟悉每一个站位的回垒距离,并且在快速到垒的同时踏垒准确.接球时牢固,特别是接难度球的能力突出...
[会议论文] 作者：赵普琴,杨锡震,
来源：第七届全国LED产业研讨与学术会议 年份：2000
根据载流子分布的连续性，由泊松方程自洽求解，得出了半导体nn结势垒分布的计算方法。在此基础上，计入n区内的电位降，计算了商用发光二极管P-nn结构的势垒分布。...
[会议论文] 作者：于惠游[1]杨丽媛[2]全思[3]马晓华[4]王冲[2]张进城[2]郝跃[4],
来源：第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2010
研制出蓝宝石衬底的15nm势垒层的F注入增强犁AlGaN/GaNHEMT。薄势垒耗尽型器件阈值电压为-1.7V,而常规的22nm器件阈值电压为-3.5V,因此薄势垒器件更易于实现增强型。栅长0.5...
[会议论文] 作者：张慧智[1]高悦[2],
来源：2012学校体育科学学术会议(2012 Academic Conference of School Physical E 年份：2012
本文运用数据分析、参考文献、观察法等各种分析手法,研究一垒手的防守位置特点.以一垒手接杀球的各项数据和位置技术为主要分析内容.主要结论得出一垒手的防守位置灵活多变,...
[会议论文] 作者：范积伟,
来源：中国电子学会敏感技术分会电压敏专业学部第二十二届学术年会 年份：2015
Induced Current,电子束感应电流)技术,EBIC技术是在扫描电镜基础上发展出来的一种研究半导体材料和电子陶瓷材料的p-n结、缺陷和晶界的检测技术.利用EBIC技术研究ZnO压敏电阻的晶界势垒发现在导电情况下有些晶界势垒是不激活...(inactive)的,不激活的势垒与添加物的不均匀性有关,并影响ZnO压敏电阻的电性能....
[会议论文] 作者：张宁,姬小丽,刘乃鑫,刘喆,王军喜,
来源：第七届中国国际半导体照明论坛 年份：2010
利用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)系统，在蓝宝石衬底上外廷生长以InGaN傲垒的多量子阱蓝光发光二极管(LED)材料。本文对比了GaN垒和InGaN垒样品材料质量和发光特性。...结果表明，材料界面的质量变化不大，但利用InGaN做垒光致发光的峰值强麦增强、峰位蓝移，样品中V坑的数目及相应的位错减少。对两种结构的LED进行电学测量得知。...InGaN垒样品的droop现象得到极大的改善，这表明阱垒之间...
[会议论文] 作者：王强,李树强,王成新,曲爽,徐现刚,
来源：第七届中国国际半导体照明论坛 年份：2010
本文设计了一种特定波长(540nm)具有非对称量子垒的InGaN 量子阱(QW)，通过数值模拟，得到量子阱区域的能带图、电子电流分布以及输出功率和内量子效率的分析。...与传统的InGaN QW相比较，使用非对称垒的QW结构。器件的漏电流明显降低。输出功率、内量子效率均有提高，而且内量子效率的Droop现象也得到抑制。...
[会议论文] 作者：谢征微,四川师范大学物理系(四川成都),李伯臧,
来源：第四届中国功能材料及其应用学术会议 年份：2001
在Slonczewski自由电子模型的基础上,提出了一个可用于处理具有任意形状势垒的磁性隧道结中磁电子输运的简单方法,并以三种常见势垒,即梯形势垒,计入了镜象势的梯形势垒和抛...
[会议论文] 作者：程立文,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
设计了一种GaN-A1GaN-GaN的特殊势垒结构,并将这种特殊势垒结构来替代传统的InGaN发光二极管的最后一个GaN势垒.研究发现含有这种特殊势垒结构的LED在不使用传统的电子阻挡层的情况下,有更好的光电特性...
[会议论文] 作者：徐明升,曲爽,王成新,徐现刚,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
本文研究了势垒层生长压力和气氛对AlGaN/GaN HEMT二维电阻气方块电阻的影响.100Torr生长压力表面形貌最好,方块电阻也最小.氢气比例23.5％时,方块电阻也最小.引言：AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管...(HEMT)在高频高压微电子器件领域有很大的应用潜力[1].AlN插入层[2],AlGaN势垒层优化[3]等都被报道用来改善AlGaN/GaN HEMT 2DEG的性质.本文改变Al...
[会议论文] 作者：郭永,顾秉林,
来源：'96中国材料研讨会 年份：1996
该文利用转移矩阵方法系统地研究了具有纳米尺度的多磁势垒结构中电子的隧穿效应。结果表明电子隧穿多磁势垒结构的传输几率和电导都表现出非常丰富的振荡结构，其特征强烈地依...
[会议论文] 作者：张宁;姬小利;刘乃鑫;刘喆;王军喜;,
来源：第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2010
利用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)系统,在蓝宝石衬底上分别外延生长以InGaN和GaN为垒的多量子阱蓝光发光二极管(LED)材料。本文对比了GaN垒和InGaN垒样品材料质量和发光特...
[会议论文] 作者：王海清,
来源：半导体光电 年份：1988
本文介绍并论述了PtSi—Si肖特基势垒IRCCD器件的工作原理,给出了研制结果,并展望了器件的发展前景。...
[会议论文] 作者：曲爽,李树强,夏伟,徐现刚,朱学亮,李毓锋,
来源：第六届中国国际半导体照明论坛(CHINASSL 2009) 年份：2009
本文用MOCVD方法生长InGaN/GaN-MQW基LED结构,通过固定阱温,改变垒湿的方法研究了阱(InGaN)和垒(GaN)甚生长温差对MQW表面形貌和发光波长的影响....
[会议论文] 作者：曲爽,李树强,朱学亮,李毓锋,夏伟,徐现刚,
来源：第六届中国国际半导体照明论坛(CHINASSL 2009) 年份：2009
本文用MOCVD方法生长InGaN/GaN-MQW基LED结构,通过固定阱温,改变垒湿的方法研究了阱(InGaN)和垒(GaN)甚生长温差对MQW表面形貌和发光波长的影响....
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