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[会议论文] 作者：全知觉,汤英文,游达,江风益,
来源：第十一届全国LED产业与技术研讨会 年份：2008
研究了P型AIGaN电子势垒层对大功率Si衬底GaN基LED光电性能的影响。设计制作了三种不同材料结构的器件：(1)无P型AlGaN；(2)有P型AlGaN和(5)有P型AlGaN且阱稍窄。通过对比分析三...
[会议论文] 作者：贾嘉,陈贵宾,全知觉,李向阳,龚海梅,
来源：2004年全国光电技术学术交流会 年份：2004
保护环结构被广泛地运用于当今的硅电路设计中,但在红外光电器件中却很少有应用.随着近年来军事与航天用红外焦平面列阵中碲镉汞光伏探测器的尺寸不断减小,p-n结对结区外载流子的收集效应造成实际的有效光敏面面积比设计尺寸相对大了许多.有效光敏面的扩大会导......
[会议论文] 作者：全知觉,吴小明,刘军林,潘拴,江风益,
来源：中国物理学会2016年秋季会议 年份：2016
氮化镓(GaN)基发光二极管(LED)在蓝光波段已取得巨大成功,但其在绿、黄光等较长波段的发光效率仍然较低。由位错诱导产生的V 坑可显著提高GaN 基LED 的发光效率。关于V 坑的作用机理,前人提出了V 坑可以屏蔽位错的物理模型1,在一定程度上阐明了GaN 基LED 发光效......
[会议论文] 作者：游达,程海英,刘彦松,全知觉,王立,江风益,
来源：第十一届全国LED产业与技术研讨会 年份：2008
本文报道了最新Si上GaN大功率芯片(400um×600um)的封装老化结果。芯片制备采用的上下电极垂直结构与Ag反射镜工艺，封装采用普通大功率封装支架封装，封装好后的蓝光LED管芯在20...
[会议论文] 作者：游达[1]程海英[2]刘彦松[1]全知觉[1]王立[2]江风益[2],
来源：第十一届全国LED产业与技术研讨会 年份：2008
本文报道了最新Si上GaN大功率芯片(400um×600um)的封装老化结果。芯片制备采用的上下电极垂直结构与Ag反射镜工艺，封装采用普通大功率封装支架封装，封装好后的蓝光LED管芯在20...
[会议论文] 作者：江风益,刘军林,徐龙权,张建立,王光绪,全知觉,丁杰,王小兰,莫春兰,吴小明,潘拴,郑畅达,
来源：第十四届全国发光学学术会议 年份：2016
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