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[学位论文] 作者：何宇鸿,
来源：首都医科大学 年份：2002
目的:探讨眼震电图(ENG),经颅多普勒超声(TCD)在椎基底动脉供血不足(VBI)诊断中的价值.方法:对135例临床确诊的VBI患者及110例非VBI眩晕患者进行ENG,TCD检测.结论:ENG和TCD...
[学位论文] 作者：季燕雯,,
来源：安徽医科大学 年份：2020
目的:本实验通过检测母体血清中可溶性内皮糖蛋白(s Eng)和胎盘中基质金属蛋白酶-14(MMP-14)、内皮糖蛋白(Eng)的表达水平,探讨子痫前期患者MMP-14、Eng和s Eng的表达,分析三...
[学位论文] 作者：杜金娟,
来源：西安电子科技大学 年份：2021
作为典型的宽禁带半导体材料,氮化镓（GaN）具有介电常数小、禁带宽度大、导电性能良好、化学性能稳定等优点,在很多领域都有广泛的应用。...随着GaN异质外延质量的提升以及p型掺杂问题的解决,GaN基发光二极管实现了商业化。迄今为止,GaN材料在新一代发光二极管、激光器、探测器等器件方面发挥着重要的作用。...然而,GaN材料以及GaN基发光二极管仍有许多问题需要解决。在GaN材料的生长过程中,由于生长条件、衬...
[学位论文] 作者：匡维哲,
来源：电子科技大学 年份：2023
随着科技进步与社会发展,GaN高电子迁移率晶体管（GaN High Electron Mobility Transisitor）凭借其宽禁带、高工作频率、高临界击穿电场等独特优势已成为半导体技术领域的研究热点...,其中P-GaN栅增强型GaN HEMT器件（P-GaN HEMT,P-GaN Gate E-Mode Al GaN/GaN HEMT）功率器件作为高频高功率应用中的一种优选解决方案更是广受学...
[学位论文] 作者：陆珏,,
来源： 年份：2007
宽禁带半导体GaN具有禁带宽度大、击穿场强高、热导率大、电子饱和漂移速度高等特点,在高温以及微波功率器件制造领域具有极大的潜力。其中,A1GaN／GaN HEMT器件在微波大功率和...
[学位论文] 作者：沈鹏飞,
来源：西安理工大学 年份：2023
二维GaN相较于其体材料具有更宽带隙（4.12 eV）、强激子效应和高辐射复合效率等更优异的光电特性,在光电发射器件等领域有潜在应用。...本文是关于二维GaN材料的研究,分两部分内容,第一部分:用化学气相沉积（CVD）法制备了 GaN纳米片;第二部分:基于第一性原理对类石墨烯GaN（g-GaN）进行修饰改性研究,分别研究Mg、C和S掺杂g-GaN...以及有机分子吸附g-GaN的物理性质。...
[学位论文] 作者：卢超,
来源：吉林大学 年份：2022
GaN半导体为直接带隙半导体材料,且具备禁带宽度宽、击穿电压大和饱和电子漂移速度高等特性,非常适用于半导体发光器件和高频大功率电子器件的制备。...沿着c轴方向生长的GaN存在两种极性,即镓极性（也称金属极性）和氮极性。将沿+c轴[0001]方向外延生长的GaN称为镓极性GaN,沿-c轴[0001 ]方向外延生长的GaN称为氮极性GaN。...由于镓极性GaN较高的晶体质量,目前的GaN基器件绝大部分为金属极...
[学位论文] 作者：王晓宁,
来源： 年份：2012
直接带隙宽禁带半导体材料GaN是目前发展高温、高频、大功率电子器件的最重要材料之一,深受国际上的关注。因此,GaN材料的研究已成为当前半导体科学技术的前沿领域和热点。...本文采用简单的化学气相沉积法,系统地研究了平直、Z形和锯齿状GaN纳米线、GaN纳米管以及GaN薄膜的制备,及其生长机理。...同时开创性地采用水热氨化两步法制备出了GaN纳米片状结构及由棒状物类阵列排列组成的GaN薄膜,并对它们的形貌、结...
[学位论文] 作者：肖冬萍,
来源：中国科学院微电子中心 中国科学院微电子研究所 年份：2004
GaN材料的禁带宽、击穿电压高、电子饱和速度高、稳定性和导热性好,这些优良的材料性能使AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在高温、高频、大功率方面有很大的应用前景.该论...
[学位论文] 作者：王晓翠,,
来源：河北工业大学 年份：2014
由于厚的GaN膜可有效降低位错密度，因而生长厚膜GaN已成为近几年的研究热点。...本文利用生长速度较快的氢化物气相外延（HydrideVapor Phase Epitaxy，HVPE）法生长GaN厚膜，为了提高GaN...
[学位论文] 作者：赵德胜,,
来源：长春理工大学 年份：2007
随着GaN基半导体材料的发展，GaN基器件获得越来越广泛的应用。然而，在其器件制作工艺中依然存在许多亟待解决的问题。本文针对p-GaN欧姆接触进行了研究，主要包括以下内容： 1．研...
[学位论文] 作者：毛祥军,
来源：北京大学 年份：1998
该论文在大量GaN和Mg:GaN的生长和电学、光学性质测量的基础上,发现MOCVD在ZnO/AlO衬底上生长GaN的PL特性与在AlO衬底上生长GaN有很大的不同,结合扩散特征的分析,得到了Zn在G...
[学位论文] 作者：曹倩,,
来源：宁夏医科大学 年份：2018
目的:验证回回甘松饮（Hui-hui Gan-song Yin,HGY）对Zucker糖尿病大鼠实验动物（Zucker Diabetic Fatty Rat,ZDF鼠）早中期肾纤维化的保护作用,揭示HGY...
[学位论文] 作者：钟红生,,
来源：杭州电子科技大学 年份：2011
得益于异质结结构,AlGaN/GaN HEMT成为当前最具发展潜力的射频、微波器件之一。因其大电流增益、高截止频率、强驱动能力、低相位噪声以及大功率密度等优点,AlGaN/GaN HEMT在...
[学位论文] 作者：徐波,,
来源：中国科学技术大学 年份：2007
GaN作为一种宽禁带半导体一直是人们研究的热点。目前人们对GaN体材料和薄膜的研究已经相当广泛。然而对于一维GaN纳米材料，特别是单晶GaN纳米管的研究还处于初级阶段：主要工作...
[学位论文] 作者：张效玮,,
来源： 年份：2014
GaN材料卓越的电学特性使得GaN基HEMT器件日益成为毫米波功率器件的重要选择。本论文首先概括了GaN基HEMT器件的国内外发展现状，提出了毫米波GaN基HEMT器件的研究意义；并对GaN...
[学位论文] 作者：颜怀跃,
来源： 年份：2011
近年来,GaN材料以其优异的光电性质和稳定的化学性质在光电信息技术领域越来越受到人们的关注。GaN材料是直接带隙半导体材料,具有禁带宽、电子饱和速率高、击穿电场高、热稳定性好、化学稳定性强等优点。...目前,基于GaN及其化合物的激光二极管和发光二极管已经实现商业化应用。...另外,GaN材料的禁带宽度宽,适用于制备短波长光电子器件；GaN材料的击穿电场高,适用于制备高频器；GaN材料的化学性质稳定,抗辐射能...
[学位论文] 作者：张会龙,,
来源：西安电子科技大学 年份：2013
由于具有大禁带宽度、高电子迁移率、高电子饱和速度和大击穿场强等优点，基于GaN材料的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在最近十几年成为了微波功率器件及电路领域的研究热...
[学位论文] 作者：张燕峰,,
来源：北京工业大学 年份：2014
GaN LED可靠性的评价是器件在应用前必须解决的问题。随着工艺和技术水平的提高，GaN LED器件的可靠性越来越高。目前，GaN LED器件可以有效工作十年以上，这就使得评价GaN LED器件...
[学位论文] 作者：卢佃清,
来源：南京大学 年份：2004
长期以来，GaN体材料的生长一直是人们追求的目标。由于热力学性质的限制，GaN体单晶的生长面临极大的困难。外延生长方法是研究的重点，但由于缺乏与之匹配的衬底，致使外延GaN材料...
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