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[学位论文] 作者：周正东,,
来源：西安电子科技大学 年份：2013
近年来SiC高压大功率器件的研究日益受到关注。制备几千伏的SiC功率器件需要高质量SiC厚膜外延层，而现有的5μm/h的外延生长速率已经不能满足生长时间的要求。本文进行了4H-Si...
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