近年来SiC高压大功率器件的研究日益受到关注。制备几千伏的SiC功率器件需要高质量SiC厚膜外延层，而现有的5μm/h的外延生长速率已经不能满足生长时间的要求。本文进行了4H-SiC快速外延工艺的研究。通过改变生长时间、生长源流量、生长温度、生长气压以及载气流量来研究这些生长条件对生长速率、厚度均匀性以及结晶质量的影响。本文使用水平热壁低压化学气相淀积技术在2英寸偏4°的（0001）硅面N型导电4H-SiC衬底，对其在不同生长条件下进行同质外延生长。FTIR厚度测试和X射线衍射的测试的结果表明：在SiH4流量为50ml/min，载气流量为70L/min时，生长速率最大，达到13.0μm/h；SiH4（C/Si比为1）流量为39ml/min时，结晶质量较好，XRD半高宽为16.3053arcsec，厚度均匀性为0.32%，此时生长速率为9.4771μm/h；生长气压越低，XRD半高宽越小，结晶质量越好。通过结论分析，在快速生长速率下，降低生长气压至50mbar以下，使形成质量良好的结晶成为可能。