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[期刊论文] 作者：李志铭,
来源：书香两岸 年份：2014
没想到更令我惊喜的是，打开书名页一看，竟是当年译者李哲洋（1934～1990）签赠给已故作曲家戴洪轩（1942～1994）的签名书！ 正...
[期刊论文] 作者：,
来源：全国新书目 年份：2002
2002.512.60元 新编法国王室史话 王忠和 2002.5 17.00元 中国商标史话 左旭初 2002.5 32.00元 名虫玩赏 夏美峰 2002.5 26.00元 西方音乐的故事 李哲洋译...
[期刊论文] 作者：李哲洋,
来源：中国音乐 年份：1987
每当讨论各种乐器的时候,为了使讨论得有条不紊,首先要考虑如何把它们分门别类才最为合理。乐器分类法之重要即在此。这也是乐器学中的要务。现在把世界各种著名的乐器...
[期刊论文] 作者：李哲洋,
来源：中国音乐 年份：1991
在这个时期谈“音乐的起源说”,的确有点“脑新”(意即:“脑筋有问题”。)因为这是老掉牙的问题。不过,一般“音乐概念”、“音乐史”都从这个课题开始。由于“起源之说...
[期刊论文] 作者：陈刚,李哲洋,柏松,任春江,,
来源：半导体学报 年份：2007
采用自主外延的4 H-SiC外延片,利用PECVD生长的Si O2做场板介质,B+离子注入边缘终端技术,制造了Ti/4 H-SiC肖特基势垒二极管.测试结果表明,Ti/4 H-SiC肖特基势垒二极管的理想...
[期刊论文] 作者：陈刚,李哲洋,柏松,任春江,
来源：半导体学报 年份：2007
采用自主外延的4 H-SiC外延片,利用PECVD生长的SiO2做场板介质,B^＋离子注入边缘终端技术,制造了Ti/4 H-SiC肖特基势垒二极管.测试结果表明,Ti/4 H-SiC肖特基势垒二极管的理想...
[期刊论文] 作者：李赟,李哲洋,董逊,陈辰,,
来源：半导体技术 年份：2008
使用水平热壁式化学气相沉积系统,固定生长源碳硅比(C/Si),改变生长源流量,在偏向〈1120〉方向8°的4H-SiC(0001)衬底上进行了一系列同质外延实验,研究了生长源流量对外...
[期刊论文] 作者：陈刚,陈雪兰,柏松,李哲洋,韩平,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
本文主要研究了4H-SiC外延片中的缺陷对制作出的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的电学性能的影响。SiC的外延生长是通过LPCVD外延设备在偏8°的(0001)Si面4H-SiC单晶片上进行的,衬底材料来自外购,同质生长的SiC外延层掺杂为n型,掺杂浓度5×1015cm-3,厚度为10um。通......
[期刊论文] 作者：陈刚,秦宇飞,柏松,李哲洋,韩平,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2009
研究了4H—SiC低缺陷密度外延层的制造和Ni／SiC肖特基势垒二极管的正、反向电学特性。采用了偏8°4H—SiC衬底上台阶控制外延方法进行同质外延，外延温度1580℃，最后得到了低...
Physical simulations and experimental results of 4H-SiC MESFETs on high purity semi-insulating subst
[期刊论文] 作者：陈刚,柏松,李哲洋,吴鹏,陈征,韩平,,
来源：Chinese Physics B 年份：2009
In this paper we report on DC and RF simulations and experimental results of 4H-SiC metal semiconductor field effect transistors (MESFETs) on high purity semi-i...
[期刊论文] 作者：陈刚,李哲洋,陈征,冯忠,陈雪兰,柏松,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
在4H-SiC MESFET微波功率器件制造技术中干法刻蚀是一个很重要的工艺,而对SiC外延片的RIE、ICP等干法刻蚀来说,有光刻胶、Ni、Al和镍硅化物等多种掩膜方法。其中用光刻胶做掩...
[期刊论文] 作者：李哲洋,董逊,张岚,陈刚,柏松,陈辰,
来源：半导体学报 年份：2008
利用水平热壁式CVD外延生长技术,在75mm偏向〈1120〉方向4°的（0001）Si-面n型导电衬底上同质外延生长了4H-SiC薄膜.光学显微镜和原子力显微镜测试结果表明外延层表面存在三...
[期刊论文] 作者：李哲洋,董逊,张岚,陈刚,柏松,陈辰,,
来源：半导体学报 年份：2008
利用水平热壁式CVD外延生长技术,在75mm偏向〈1120〉方向4°的(0001)Si-面n型导电衬底上同质外延生长了4H-SiC薄膜.光学显微镜和原子力显微镜测试结果表明外延层表面存在三角...
[期刊论文] 作者：柏松,陈刚,吴鹏,李哲洋,郑惟彬,钱峰,,
来源：中国电子科学研究院学报 年份：2009
利用本实验室生长的4H—SiC外延材料开展了SiCMESFET和MMIC的工艺技术研究。研制的SiCMESFET采用栅场板结构，显示出优异的脉冲功率特性，20mm栅宽器件在2GHz脉冲输出功率达100W...
[期刊论文] 作者：李哲洋,董逊,柏松,陈刚,陈堂胜,陈辰,
来源：半导体学报 年份：2007
利用热壁式CVD技术生长4H-SiC MESFET结构外延材料,TMA和氮气分别用作p型和n型掺杂源.外延层厚度使用SEM进行表征,SIMS及汞探针C-V用作外延层掺杂浓度测试.通过优化生长参数,...
[期刊论文] 作者：柏松,陈刚,李哲洋,张涛,汪浩,蒋幼泉,
来源：半导体学报 年份：2007
分别在导通和半绝缘4H-SiC衬底上外延生长了MESFET结构并制成器件.两种衬底上的SiC MESFET具有类似的直流特性,饱和电流为350mA/mm,最大跨导为25～30mS/mm,击穿电压大于120V.导...
[期刊论文] 作者：陈刚,柏松,张涛,汪浩,李哲洋,蒋幼泉,
来源：半导体学报 年份：2007
介绍了制作4H-SiC MESFET器件的关键工艺.通过改进工艺,采用半绝缘衬底的国产SiC三层外延片,制造出总栅宽为1mm,2GHz连续波下输出功率大于4W,小信号增益大于10dB的SiC MESFET...
[期刊论文] 作者：李哲洋,刘六亭,董逊,张岚,许晓军,柏松,
来源：电子工业专用设备 年份：2005
从实验出发,用LPCVD外延系统在偏向方向8°的4H-SiC(0001)Si面衬底上,利用CVD技术进行了4H-SiC同质外延生长.外延后在熔融KOH腐蚀液中进行腐蚀,使用SEM和光学显微...
[期刊论文] 作者：汪浩,柏松,陈刚,李哲洋,刘六亭,陈雪兰,邵凯,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2007
采用本实验室生长的4H-SiC外延片,分别用高真空电子束蒸Ni和Ti做肖特基接触金属,Ni合金作欧姆接触,SiO2绝缘环隔离减小高压电场集边效应等技术,制作出4H-SiC肖特基势垒二极管...
[期刊论文] 作者：李宇柱,倪炜江,李哲洋,李赟,陈辰,陈效建,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2010
采用碳化硅外延和器件工艺制造了碳化硅肖特基（SBD）二极管,耐压超过600 V。正向压降为1.6 V时,器件电流达到30A。作为IGBT续流二极管,600 V碳化硅肖特基二极管和国际整流器公司...
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